고강도·고인성의 Si3N4 세라믹스에 고열전도성을 부여하는 것으로 내열충격성 및 내열피로성을 향상시켜 반도체 모듈의 신뢰성을 대폭으로 개선했습니다. 또, 기존 재료인 알루미나 및 질화알루미늄에서는 불가능한 신규 모듈구조를 실현했습니다.
양립하기 어려운 관계인 강도와 열전도율을 모두 만족시킨 재료의 개발에 성공했습니다. 100W/m.K×1000MPa(연구 레벨)는 세계 최고 수준입니다.
(1) 기존 파워 반도체 모듈의 절연기판으로서 알루미나 및 질화알루미늄을 이용해 왔지만, 기계적 강도가 낮기 때문에 모듈 자체의 구조설계에 제약이 있어, 그림1과 같이 복잡한 구조였습니다.
(2) 당사는 신규로 개발한 고강도·고열전도 Si3N4를 절연기판으로 사용하여 그림2와 같이 모듈구조를 간략화할 수 있었습니다. 후판 Cu를 접합할 수 있게 되어 열저항을 낮출 수 있게 되었고, 또한 방열판 생략을 통해 구조 간략화 및 비용 절감을 달성하였습니다.
[후판 Cu 배선기판]
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